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        氮等離子體浸沒離子注入TC4鈦合金的研究

        發(fā)布時間: 2018-11-23 09:49:12    瀏覽次數(shù):

        1、背景簡介

        離子注入金屬表面,可以使金屬材料表面陶瓷化和金剛石化,使其披上一層十分堅固的盔甲[1]。常用的注入原子有:碳、氮、氧等,離子注入將引起金屬表層的成分和結(jié)構(gòu)的變化以及原子環(huán)境和電子組態(tài)等微觀狀態(tài)的擾動,因此導(dǎo)致金屬各種物理、化學(xué)、機械性能的變化[2-3]。

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        傳統(tǒng)的離子注入是一個視線加工過程,只有暴露在離子束下的工件表面才能被離子注入,為了解決傳統(tǒng)離子注入方法的缺陷,美國威斯康辛大學(xué)

        鈦合金以其優(yōu)異的綜合力學(xué)性能、低密度以及良好的耐蝕性,近年來在航空航天、石油化工、造船、汽車、醫(yī)藥[5][6]等部門上得到了廣泛的應(yīng)用。但是鈦合金較難加工的特點限制了它的廣泛應(yīng)用,而且鈦合金在加工過程中容易出現(xiàn)內(nèi)應(yīng)力,嚴重影響鈦合金材料的使用壽命,而PIII方法對改善材料表面應(yīng)力有很好的作用。本文利用PIII技術(shù)在TC4鈦合金上注入N+,通過軟件模擬以及多種檢測方法來研究該方法對TC4鈦合金性能的改善,從而得出注入后N+在基體內(nèi)的分布以及對TC4鈦合金表面納米硬度的改善。

        2 實驗步驟及方法

        2.1、N+注入實驗

        經(jīng)過研究,實驗選用的試樣材料為TC4鈦合金,尺寸為3*10*10mm,組成成分見表1所示,PIII方法離子注入實驗參數(shù)設(shè)定見表2所示。實驗所用真空設(shè)備為北京航空航天大學(xué)材料加工工程專業(yè)現(xiàn)代表面改性技術(shù)課題組自主設(shè)計的離子注入且沉積復(fù)合鍍膜設(shè)備,最佳真空度達到10-3數(shù)量級,能很好的滿足實驗要求。

        實驗前對鈦合金試樣進行表面打磨拋光處理后進行酒精超聲波清洗,完成該工序后將樣品放入真空爐抽真空達到10-3Pa級別后,打開高壓脈沖電源通入高純氮氣進行N+注入實驗。

        2.2、試樣檢測

        按照表2設(shè)定的參數(shù)對TC4鈦合金試樣進行N+注入實驗,然后對試樣分別進行XRD、XPS以及納米硬度測試,得到相應(yīng)的檢測結(jié)果并分析得出相應(yīng)結(jié)論。

        2.3、SRIM軟件離子注入模擬

        該軟件是基于蒙特卡洛模擬方法來實現(xiàn)的,該方法是通過計算機模擬跟蹤一大批入射粒子的運動。粒子的能量、能量損失以及次級粒子的各種參數(shù)都在整個過程中存儲下來,最后得到各種所需的物理量的期望值和統(tǒng)計誤差,能很好的對離子注入進行模擬,得到理論上的結(jié)果。

        3、實驗結(jié)果及分析

        3.1、SRIM軟件模擬結(jié)果

        基于表2設(shè)定的實驗參數(shù)運用SRIM軟件對TC4鈦合金的N+注入進行模擬,從模擬結(jié)果上可以看到在深度為40nm時N+含量達到最大,N+注入的最大深度約為80nm,其分布幅度與范圍上符合蒙特卡洛分布,效果圖如圖1所示。

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        3.2、XRD檢測結(jié)果

        XRD檢測結(jié)果的擇優(yōu)方向不同,原因由于襯底負偏壓往往影響TiN的擇優(yōu)取向。在襯底偏壓較低時,TiN經(jīng)常出現(xiàn)(111)(220)方向的擇優(yōu)取向;而當(dāng)襯底偏壓較大時,TiN容易出現(xiàn)(200)擇優(yōu)取向。出現(xiàn)該現(xiàn)象的原因是由于基體偏壓對涂層的取向有著決定性的影響,該影響可以理解為:偏壓較低時,粒子流能量較低,刻蝕或反濺射作用較弱,涂層沿著表面能最小取向[TiN結(jié)構(gòu)中為(111)(220)晶面]生長;當(dāng)偏壓增加時,粒子流能量較高,涂層除了沿著表面能最小的取向生長外,還能沿著表面能較大的取向[TiN結(jié)構(gòu)中為(200)晶面]生長,但是由于刻蝕或反濺射作用增強,表面能較低取向的晶粒生長被刻蝕或濺射掉,而表面能較高取向的晶粒生長變得明顯。

        3.3、XPS檢測結(jié)果

        基于表2設(shè)定的實驗參數(shù)對TC4鈦合金試樣完成離子注入實驗,取4號試樣進行XPS檢測以得到各元素在深度方向上的比例,得到的結(jié)果如圖3所示。

        由圖看到隨著剝蝕深度的增加,N含量逐漸上升,在剝蝕深度為40nm左右時,N元素含量達到頂峰;隨著剝蝕時間的繼續(xù)增加,N含量迅速減少,在剝蝕深度為80nm左右時幾乎趨近于零。另外,在試樣表面處由于有吸附的N元素,所以百分比例偏高。該檢測結(jié)果與SRIM軟件模擬的結(jié)果相吻合。

        3.4、納米硬度檢測結(jié)果

        基于表2設(shè)定的實驗參數(shù)對TC4鈦合金試樣完成離子注入實驗,取0-4號試樣進行納米硬度測量,結(jié)果如圖4所示。

        由圖看出3號試樣即注入時間為5h的試樣納米硬度最高,50nm-200nm硬度平均值達到27.86GPa,比0h對比樣13.36Gpa的硬度提高了108%,表明該PIII方法在TC4鈦合金表面注入N+的效果顯著,能很好的改善TC4鈦合金的表面納米硬度。

        4、結(jié)論

        PIII方法N+注入TC4鈦合金后對其性能有較大改善,表面納米硬度增加108%,大大改善了TC4鈦合金的表面納米硬度。同時經(jīng)過XRD和XPS檢測得到表面層主要成分為TiN,并且得到了各元素在深度方向上的百分比組成。該TiN成分膜具有化學(xué)惰性、高熔點、低摩擦系數(shù)、高硬度、良好的熱力學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)秀的耐磨和耐腐蝕性等優(yōu)異性能,在抗磨損、抗腐蝕和抗擴散阻擋等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,同時由于TiN的生物相容性,也可施加在骨科和牙科植入物領(lǐng)域[7-9]。因此在TC4鈦合金上利用PIII方法注入N+具有很高的研究和實際應(yīng)用價值。

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